IGC50T120T8RQX1SA1_分立半导体产品 晶体管-UGBT、MOSFET-单-英飞凌

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原厂料号:IGC50T120T8RQX1SA1品牌:Infineon Technologies

资料说明:IGBT 1200V 50A DIE

IGC50T120T8RQX1SA1是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商INFINEON/英飞凌生产封装模具的IGC50T120T8RQX1SA1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

  • 芯片型号:

    igc50t120t8rqx1sa1

  • 规格书:

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  • 企业简称:

    INFINEON【英飞凌】详情

  • 厂商全称:

    Infineon Technologies AG

  • 中文名称:

    英飞凌科技公司

  • 资料说明:

    IGBT 1200V 50A DIE

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    IGC50T120T8RQX1SA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.42V @ 15V,50A

  • 输入类型:

    标准

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    模具

  • 供应商器件封装:

    模具

  • 描述:

    IGBT 1200V 50A DIE

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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