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IRG7PH44K10D-EPBF分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IRG7PH44K10D-EPBF
厂商型号

IRG7PH44K10D-EPBF

参数属性

IRG7PH44K10D-EPBF 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 70A 320W TO247AD

功能描述

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode

封装外壳

TO-247-3

文件大小

747.97 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF

中文名称

International Rectifier官网

原厂标识
IRF
数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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IRG7PH44K10D-EPBF规格书详情

特性 Features

Low VCE(ON) and switching losses

10µs Short Circuit SOA

Square RBSOA

Maximum Junction Temperature 150°C

Positive VCE (ON) Temperature Coefficient

Benefits

High efficiency in a Wide Range of Applications

Increased Reliability

Excellent Current Sharing in Parallel Operation

Rugged Transient Performance

Applications

• Industrial Motor Drive

• UPS

产品属性

  • 产品编号:

    IRG7PH44K10D-EPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,25A

  • 开关能量:

    2.1mJ(开),1.3mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    75ns/315ns

  • 测试条件:

    600V,25A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1200V 70A 320W TO247AD

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