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IRG7PH44K10D-EPBF分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IRG7PH44K10D-EPBF |
| 参数属性 | IRG7PH44K10D-EPBF 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 70A 320W TO247AD |
| 功能描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
747.97 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | IRF |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-1 10:37:00 |
| 人工找货 | IRG7PH44K10D-EPBF价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG7PH44K10D-EPBF规格书详情
特性 Features
Low VCE(ON) and switching losses
10µs Short Circuit SOA
Square RBSOA
Maximum Junction Temperature 150°C
Positive VCE (ON) Temperature Coefficient
Benefits
High efficiency in a Wide Range of Applications
Increased Reliability
Excellent Current Sharing in Parallel Operation
Rugged Transient Performance
Applications
• Industrial Motor Drive
• UPS
产品属性
- 产品编号：
IRG7PH44K10D-EPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，25A
- 开关能量：
2.1mJ（开），1.3mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
75ns/315ns
- 测试条件：
600V，25A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 1200V 70A 320W TO247AD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
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