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AUIRGP50B60	文件：389.55 Kbytes Page：4 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2V@IC=33A ·MinimalTailCurrent ·AutomotiveQualified APPLICATIONS ·AutomotiveHEVandEV ·WeldingConverters ·,PFC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
GP50B60PD	文件：868.64 Kbytes Page：10 Pages	SMPSIGBT WARP2SERIESIGBTWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •NPTTechnology,PositiveTemperatureCoefficient •LowerVCE(SAT) •LowerParasiticCapacitances •MinimalTailCurrent •HEXFREDUltraFastSoft-RecoveryCo-PackDiode •TighterDistributionofParameters •HigherReliability	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRGP50B60PDPBF	文件：394.56 Kbytes Page：11 Pages	WARP2SERIESIGBTWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRGP50B60PDPBF	文件：385.42 Kbytes Page：10 Pages	WARP2SERIESIGBTWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE VCES=600V VCE(on)typ.=2.00V @VGE=15VIC=33A EquivalentMOSFETParameters RCE(on)typ.=61mΩ ID(FETequivalent)=50A Features •NPTTechnology,PositiveTemperatureCoefficient •LowerVCE(SAT) •LowerParasiticCapacitances •MinimalTailCurrent •H	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
QCA50B60	文件：412.44 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTORMODULE QCA50BandQCB50AaredualDarlingtonpowertransistormoduleswhichhaveseries-connectedhighspeed,highpowerDarlingtontransistors.Eachtransistorhasareverseparalleledfastrecoverydiode. ●IC50A,VCEX400/600V ●Lowsaturationvoltageforhigherefficiency. ●Isolatedmountingbas	SANREXSansha Electric Mfg. Co. Ltd 三力电气制造有限公司	SANREX

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更多IRG50B60PDPBF供应商更新时间2024-6-20 11:42:00

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