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IRG4RC10UDTRP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 8.5A 38W DPAK	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4RC10UPBF	文件：654.18 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：654.18 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4RC10UPBF	文件：654.18 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies (8-40 kHz in hard swiching, > 200 kHz in resonant mode) • Generation 4 IGBT design provides tigher parameter distribution and higher efficiency than previous generation • Industry standard TO-252AA package • Lead-Free Benefits 文件：654.18 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4RC10UTRPBF	文件：654.18 Kbytes Page：10 Pages	Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher effciency than previous generation Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies (8-40 kHz in hard swiching, > 200 kHz in resonant mode) • Generation 4 IGBT design provides tigher parameter distribution and higher efficiency than previous generation • Industry standard TO-252AA package • Lead-Free Benefits 文件：654.18 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

产品属性

产品编号：
IRG4RC10UDTRP
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 15V，5A
开关能量：
140µJ（开），120µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
40ns/87ns
测试条件：
480V，5A，100 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
D-Pak
描述：
IGBT 600V 8.5A 38W DPAK

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