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IRG4PH40KD分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

IRG4PH40KD

参数属性

IRG4PH40KD 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 30A 160W TO247AC

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.47V, @Vge=15V, Ic=15A)

封装外壳

TO-247-3

文件大小

217.59 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

IRF

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-5 18:32:00

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IRG4PH40KD规格书详情

特性 Features

• High short circuit rating optimized for motor control,

tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C,

VGE = 15V

• Combines low conduction losses with high

switching speed

• Tighter parameter distribution and higher efficiency

than previous generations

• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,

ultrasoft recovery antiparallel diodes

Benefits

• Latest generation 4 IGBTs offer highest power density

motor controls possible

• HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs.

Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and

switching losses

• This part replaces the IRGPH40KD2 and IRGPH40MD2

products

• For hints see design tip 97003

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4PH40KDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.4V @ 15V,15A

  • 开关能量:

    1.31mJ(开),1.12mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    50ns/96ns

  • 测试条件:

    800V,15A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 1200V 30A 160W TO247AC

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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