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IRG4PC50KD中文资料600V UltraFast 8-25 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRG4PC50KD

参数属性

IRG4PC50KD 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 52A 200W TO247AC

功能描述

600V UltraFast 8-25 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package
IGBT 600V 52A 200W TO247AC

封装外壳

TO-247-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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IRG4PC50KD规格书详情

描述 Description

600V IGBT 与超快 8-25 kHz 软恢复二极管联合封装到 TO-247AC 封装中。
 

特性 Features

• 经过优化的高工作频率 > 5,0 kHz
• 额定短路时间为 10 μs @ 125°C, VGE=15V
• IGBT 的设计提供更紧凑的参数分布和更高的效率
• 与 HEXFREDTM 超快、超软恢复反并联二极管联合封装的 IGBT,在桥配置中使用
• 行业标准 TO-247AC 封装
• 无铅


优势:
• IGBT 提供可实现的出色效率
• HEXFRED 二极管与 IGBT 并用优化。恢复特性最小化,对缓冲的要求更少甚至不需要
• 旨在“直接替代”同等行业内标准的第三代 IR IGBT
 

应用 Application

• 驱动器和泵
• 太阳能
• 不间断电源(UPS)
• 焊接

简介

IRG4PC50KD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4PC50KD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IRG4PC50KD

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Technology 

    :IGBT Gen 4

  • Switching Frequency min max

    :8.0kHz 30.0kHz

  • Package 

    :TO-247

  • Voltage Class max

    :600.0V

  • IC(@100°) max

    :30.0A

  • IC(@25°) max

    :52.0A

  • ICpuls max

    :104.0A

  • Ptot max

    :104.0W

  • VCE(sat) 

    :1.84V 

  • Eon 

    :1.61mJ 

  • Eoff(Hard Switching) 

    :0.84mJ 

  • td(on) 

    :63.0ns 

  • tr 

    :49.0ns 

  • td(off) 

    :150.0ns 

  • tf 

    :95.0ns 

  • QGate 

    :200.0nC 

  • IF max

    :280.0A

  • VF 

    :1.3V 

  • Qrr 

    :112.0nC 

  • Irrm 

    :4.5A 

  • Ets  (max)

    :2.45mJ (3.0mJ)

  • VCE max

    :600.0V

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