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IRG4PC40KD分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IRG4PC40KD |
| 参数属性 | IRG4PC40KD 封装/外壳为TO-247-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 42A 160W TO247AC |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.1V, @Vge=15V, Ic=25A) |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
182.17 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | IRF |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-5 20:00:00 |
| 人工找货 | IRG4PC40KD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG4PC40KD规格书详情
Short Circuit Rated UltraFast IGBT
特性 Features
• Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V
• Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations
• Industry standard TO-247AC package
Benefits
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available
• HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing
• Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs
产品属性
- 产品编号：
IRG4PC40KDPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 15V，25A
- 开关能量：
950µJ（开），760µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
53ns/110ns
- 测试条件：
480V，25A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AC
- 描述：
IGBT 600V 42A 160W TO247AC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
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