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IRG4PC40KD分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

IRG4PC40KD

参数属性

IRG4PC40KD 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 42A 160W TO247AC

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.1V, @Vge=15V, Ic=25A)

封装外壳

TO-247-3

文件大小

182.17 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

IRF

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数据手册

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更新时间

2025-12-1 10:50:00

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IRG4PC40KD规格书详情

Short Circuit Rated UltraFast IGBT

特性 Features

• Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V

• Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3

• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations

• Industry standard TO-247AC package

Benefits

• Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available

• HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing

• Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4PC40KDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,25A

  • 开关能量:

    950µJ(开),760µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    53ns/110ns

  • 测试条件:

    480V,25A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 600V 42A 160W TO247AC

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