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IRG4PC40FDPBF分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
IRG4PC40FDPBF |
参数属性 | IRG4PC40FDPBF 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 49A TO247AC |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
封装外壳 | TO-247-3 |
文件大小 |
354.79 Kbytes |
页面数量 |
11 页 |
生产厂商 | International Rectifier |
企业简称 |
IRF |
中文名称 | International Rectifier官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-26 17:23:00 |
人工找货 | IRG4PC40FDPBF价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG4PC40FDPBF规格书详情
Features
• Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode).
• Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations
• Industry standard TO-247AC package
• Lead-Free
Benefits
• Generation -4 IGBTs offer highest efficiencies available
• IGBTs optimized for specific application conditions
• HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs . Minimized recovery characteristics require less/no snubbing
• Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs
产品属性
- 产品编号:
IRG4PC40FDPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
卷带(TR)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.7V @ 15V,27A
- 开关能量:
950µJ(开),2.01mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
63ns/230ns
- 测试条件:
480V,27A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247AC
- 描述:
IGBT 600V 49A TO247AC
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-247 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-247 |
25630 |
原装正品 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-247 |
30000 |
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VISHAY |
24+ |
TO-247 |
12000 |
VISHAY专营进口原装现货假一赔十 |
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IR |
21+ |
TO-247 |
10000 |
只做原装,质量保证 |
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IR |
24+ |
TO-247-3 |
515 |
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IR |
23+ |
TO-247 |
12800 |
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INFINEON/英飞凌 |
2022+ |
5000 |
只做原装,价格优惠,长期供货。 |
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IR |
24+ |
原厂封装 |
65250 |
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