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IRG4IBC30F	文件：223.94 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •VeryLow1.59Vvotagedrop •2.5kV,60sinsulationvoltage •4.8mmcreapagedistancetoheatsink •Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultrasoftrecovery	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4IBC30FD	文件：223.94 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •VeryLow1.59Vvotagedrop •2.5kV,60sinsulationvoltage •4.8mmcreapagedistancetoheatsink •Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultrasoftrecovery	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4IBC30KD	文件：195.54 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4IBC30KDPBF	文件：347.66 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •Highswitchingspeedoptimizedforupto25kHz withlowVCE(on) •ShortCircuitRating10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgeneration •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4IBC30KDPBF	文件：339.04 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTTECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4IBC30S	文件：126.17 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4IBC30SPBF	文件：197.92 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •Standard:Optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfreqencies(	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4IBC30SPBF	文件：239.44 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4IBC30UD	文件：227.86 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •2.5kV,60sinsulationvoltage •4.8mmcreapagedistancetoheatsink •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultrasoftrecoveryantiparalleldiodes •Tighter	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4IBC30UDPBF	文件：322.4 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •2.5kV,60sinsulationvoltage •4.8mmcreapagedistancetoheatsink •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultrasoftrecoveryantiparalleldiodes •Tighte	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4IBC30UDPBF	文件：324.48 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4IBC30W	文件：160.5 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC(powerfactorcorrection)applications •2.5kV,60sinsulationvoltage •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •La	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4IBC30WPBF	文件：263.95 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4IBC30WPBF	文件：254.84 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePower SupplyandPFC(powerfactorcorrection) applications •2.5kV,60sinsulationvoltage •ndustry-benchmarkswitchinglossesimprove efficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconduction	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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