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深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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IR/VISHAYTO-263

12300

23+

全新原装真实库存含13点增值税票!

深圳市纳艾斯科技有限公司

9年 留言
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IRTO-263

80000

2020+

只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增

瀚佳科技(深圳)有限公司

6年 留言
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IRTO-220AB

16800

2020+

绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!?

深圳市得捷芯城科技有限公司

6年 留言
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IRNA/

6900

23+

原装现货,当天可交货,原型号开票

深圳市科恒伟业电子有限公司

7年 留言
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IRTO-220

5623

22+

只做原装正品现货!或订货假一赔十!

深圳市科恒伟业电子有限公司

11年 留言
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IRTO-263

6528

2016+

房间原装进口现货假一赔十

深圳市威雅利发展有限公司

5年 留言
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IRTO-263

3650

11+

一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

深圳市科恒伟业电子有限公司

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IRTO-263

6523

1816+

科恒伟业!只做原装正品,假一赔十!

深圳市汇莱威科技有限公司

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IRTO-220

562000

2320+

16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品

深圳市胜彬电子有限公司

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IRSOT263

8000

22+

1+
:¥0.1

原装正品支持实单

深圳市汇莱威科技有限公司

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TO-220

68900

IR

原包原标签100%进口原装常备现货!

深圳市一线半导体有限公司

15年 留言
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IRTO-263

300

07+/08+

深圳市汇莱威科技有限公司

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IRTO-220

265209

假一罚十原包原标签常备现货!

深圳市惊羽科技有限公司

4年 留言
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VISHAY-威世TO-220-3

78800

24+25+/26+27+

1
+:¥10
1000
+:¥10

一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

深圳市惊羽科技有限公司

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VISHAY-威世TO-263-3

78800

24+25+/26+27+

1
+:¥10
1000
+:¥10

一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

深圳市赛美科科技有限公司

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IRSOT-263

6297

一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货

深圳市河锋鑫科技有限公司

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Infineon TechnologiesTO220AB

9000

22+

原厂渠道,现货配单

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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IRD2PAK

12300

23+

全新原装真实库存含13点增值税票!

深圳市英瑞芯科技有限公司

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IRTO-220

8900

22+

英瑞芯只做原装正品!!!

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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Infineon TechnologiesTO-220-3

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IRG4BC20MD制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=11A)

IRG4BC20MDPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

IRG4BC20MDS制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=11A)

IRG4BC20MD-S制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRG4BC20MDS_07制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRG4BC20MD-SPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

IRG4BC20MD-STRL功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 11A I(C) | TO-263AB

IRG4BC20MD-STRR功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 11A I(C) | TO-263AB