| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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INFINEONTECHNOLOGIESAGD2PAK |
160455 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
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INFINEONTO-263-5 |
8000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
11048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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IRTO263 |
7906200 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
15316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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IRTO263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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INFINEON/IRTO-263-3 (D2PAK) |
1600 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市凌特半导体科技有限公司2年
留言
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Infineon英飞凌专营TO-263 |
9000 |
原装现货当天可交货,长期备货支持BOM配单账期 |
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艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
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VBsemi(台湾微碧)TO-263 |
105000 |
2112+ |
50个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO-263-2 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263-2 |
9800 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRTO-263-2 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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30000 |
24+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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INFINEON/IRTO-263-3 (D2PAK) |
1600 |
17+ |
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深圳市富利微电子科技有限公司9年
留言
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Infineon/英飞凌D2PAK |
25000 |
23+ |
原装正品,假一赔十! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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Infineon/英飞凌D2PAK |
6000 |
21+ |
原装现货正品 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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Infineon(英飞凌)NA/ |
8735 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
IRFZ34NSTR采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFZ34NSTR图片
IRFZ34NSTRLPBF价格
IRFZ34NSTRLPBF价格：￥2.6585品牌：International
生产厂家品牌为International的IRFZ34NSTRLPBF多少钱，想知道IRFZ34NSTRLPBF价格是多少？参考价：￥2.6585。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFZ34NSTRLPBF批发价格及采购报价，IRFZ34NSTRLPBF销售排行榜及行情走势，IRFZ34NSTRLPBF报价。
IRFZ34NSTRLPBF资讯
IRFZ34NSTR
型号：IRFZ34NSTR 品牌：IR/国际整流器 描述MOSFETN-CH55V29AD2PAK 类别：分离式半导体产品 家庭：FET-单 系列：HEXFET® FET型：MOSFETN通道，金属氧化物 FET特点：标准型 漏极至源极电压(Vd
IRFZ34NSTRLPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFZ34NSTRL制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRFZ34NSTRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 29A 40mOhm 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ34NSTRR功能描述:MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ34NSTRRPBF功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
