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IRFZ14S/L

Advanced Process Technology / Surface Mount (IRFZ14S)

Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

文件:225.18 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRFZ24N

TO-247

IR

国际整流器

上传:深圳市勤思达科技有限公司

IRFZ24N

TO-220

IR

国际整流器

上传:深圳市凌旭科技有限公司

IRFZ24NMOS(场效应管)

TO-220

IR

国际整流器

上传:深圳庞田科技有限公司

IRFZ24NPBF

TO-220

INFINEON

英飞凌

上传:深圳市壹芯创科技有限公司

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更多IRFZ14S/L供应商 更新时间2026-2-5 10:04:00