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IRFUC20中文资料HEXFET Power MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRFUC20

功能描述

HEXFET Power MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-29 0:17:00

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IRFUC20规格书详情

描述 Description

DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

Dynamic dv/dt Rating
Repetitive Avalanche Rated
Surface Mount(IRFRC20)
Straight Lead(IRFUC20)
Available in Tape and Reel
Fast Switching
Ease of Paralleling

技术参数

  • 型号:

    IRFUC20

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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