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IRFU220B中文资料功率 MOSFET,N 沟道,B-FET,200 V,4.6 A,0.9 Ω,IPAK数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

IRFU220B

功能描述

功率 MOSFET,N 沟道,B-FET,200 V,4.6 A,0.9 Ω,IPAK

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 8:50:00

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IRFU220B规格书详情

描述 Description

这些N沟道增强型功率场效应晶体管是采用飞兆专有的、平面条形DMOS技术生产的。这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻,提供卓越的开关性能,以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合于高效率的开关DC/DC转换器、开关电源、用于不间断电源的DC-AC转换器和电机控制。

特性 Features

•4.6 A,200 V,RDS(on) = 800 mΩ,条件是 VGS = 10 V
•低栅极电荷(典型值12 nC)
•低 Crss(典型值10 pF)
•快速开关
•100% 经过雪崩击穿测试
•提高了 dv/dt 性能

应用 Application

• High Efficiency Switching DC/DC Converters
• Switched Mode Power Supplies
• DC-AC Converters for Uninterrupted Power Supply
• Motor Control

技术参数

  • 制造商编号

    :IRFU220B

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)

    :200

  • VGS Max (V)

    :4

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :4.6

  • PD Max (W)

    :40

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :800

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :12

  • Ciss Typ (pF)

    :300

  • Package Type

    :IPAK-3/DPAK-3 STRAIGHT LEAD

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