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IRGP4620DPBF	文件：714.86 Kbytes Page：14 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode Features LowVCE(ON)andswitchinglosses SquareRBSOAandmaximumjunctiontemperature175°C PositiveVCE(ON)temperaturecoefficientandtight distributionofparameters 5µsShortCircuitSOA Lead-Free,RoHSCompliant Benefits Highefficiencyinawiderangeofa	IRF International Rectifier	IRF
IRGS4620DPBF	文件：714.86 Kbytes Page：14 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode Features LowVCE(ON)andswitchinglosses SquareRBSOAandmaximumjunctiontemperature175°C PositiveVCE(ON)temperaturecoefficientandtight distributionofparameters 5µsShortCircuitSOA Lead-Free,RoHSCompliant Benefits Highefficiencyinawiderangeofa	IRF International Rectifier	IRF
IRGS4620DPBF	文件：893.03 Kbytes Page：15 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRGS4620DPbF	文件：971.84 Kbytes Page：17 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode Features LowVCE(ON)andswitchinglosses SquareRBSOAandmaximumjunctiontemperature175°C PositiveVCE(ON)temperaturecoefficient 5µsShortCircuitSOA Lead-Free,RoHSCompliant Benefits Highefficiencyinawiderangeofapplicationsandswitching frequencies	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRGS4620DTRLPBF	文件：714.86 Kbytes Page：14 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode Features LowVCE(ON)andswitchinglosses SquareRBSOAandmaximumjunctiontemperature175°C PositiveVCE(ON)temperaturecoefficientandtight distributionofparameters 5µsShortCircuitSOA Lead-Free,RoHSCompliant Benefits Highefficiencyinawiderangeofa	IRF International Rectifier	IRF
IRGS4620DTRRPBF	文件：714.86 Kbytes Page：14 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode Features LowVCE(ON)andswitchinglosses SquareRBSOAandmaximumjunctiontemperature175°C PositiveVCE(ON)temperaturecoefficientandtight distributionofparameters 5µsShortCircuitSOA Lead-Free,RoHSCompliant Benefits Highefficiencyinawiderangeofa	IRF International Rectifier	IRF
KO4620	文件：2.35263 Mbytes Page：7 Pages	ComplementaryTrenchMOSFET ■Features ●N-Channel: VDS(V)=30V ID=7.2A(VGS=10V) RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KO4620-HF	文件：3.31663 Mbytes Page：7 Pages	ComplementaryTrenchMOSFET ■Features ●N-Channel: VDS(V)=30V ID=7.2A(VGS=10V) RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
L4620	文件：61.03 Kbytes Page：9 Pages	LIQUIDLEVELALARM DESCRIPTION TheL4620isanintegratedcircuit,designedfortheliquidlevelcontrolinautomotiveapplications.Theliquidlevelisindicatedbyanattenuationbetweentransmittedandreceivedsignalacrossasensortipinthelquid.Iftheattenuationexceedesaninternalthreshold-sensortipouts	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
LA4620	文件：243.83 Kbytes Page：8 Pages	Two-channelAudioPowerAmplifier Overview TheLA4620isatwo-channelhigh-poweraudioamplifierforautomotivestereoandgeneral-purposeaudioamplificationequipment. TheLA4620hasa6to22Voperatingsupplyvoltagerange.Eachchannelusesabridgeconfigurationtoobtainhighoutputpowerfromlowsupplyvoltages.Typica	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO

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详细参数

型号：
IRFSL4620
功能描述：
MOSFET MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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