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IRFS59N10D中文资料100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装数据手册Infineon规格书
IRFS59N10D规格书详情
特性 Features
优势:
• 符合 RoHS
• 具有业内先进的品质
• 具备完全特性化的雪崩电压和电流
• 低栅漏电荷,可降低开关损耗
• 具备完全特性化的的电容,包括有效的Coss以简化设计
技术参数
- 制造商编号
:IRFS59N10D
- 生产厂家
:Infineon
- Package
:D2PAK (TO-263)
- VDS max
:100.0V
- RDS (on)(@10V) max
:25.0mΩ
- RDS (on) max
:25.0mΩ
- Polarity
:N
- ID (@ TC=100°C) max
:42.0A
- ID max
:42.0A
- ID (@ TC=25°C) max
:59.0A
- Ptot max
:200.0W
- QG
:76.0nC
- Mounting
:SMD
- Moisture Sensitivity Level
:1
- RthJC max
:0.5K/W
- VGS max
:30.0V
- Qgd
:36.0nC
- Tj max
:175.0°C
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
TO-263 |
18689 |
询价 | |||
IR |
25+ |
plcc-44 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
IR |
02+ |
TO-263 |
320 |
深圳原装现货 |
询价 | ||
IR |
2450+ |
TO-263 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
501414 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
D2PAK |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
IR |
25+23+ |
TO-263 |
27302 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
INFINEON |
1433 |
700 |
公司优势库存 热卖中! |
询价 | |||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
D2PAK |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
320 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 |