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IRFS59N10D数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRFS59N10D

功能描述

100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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IRFS59N10D规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS
• 具有业内先进的品质
• 具备完全特性化的雪崩电压和电流
• 低栅漏电荷,可降低开关损耗
• 具备完全特性化的的电容,包括有效的Coss以简化设计

技术参数

  • 制造商编号

    :IRFS59N10D

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :D2PAK (TO-263)

  • VDS max

    :100.0V

  • RDS (on)(@10V) max

    :25.0mΩ

  • RDS (on) max

    :25.0mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID (@ TC=100°C) max

    :42.0A

  • ID  max

    :42.0A

  • ID (@ TC=25°C) max

    :59.0A

  • Ptot max

    :200.0W

  • QG 

    :76.0nC 

  • Mounting 

    :SMD

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • RthJC max

    :0.5K/W

  • VGS max

    :30.0V

  • Qgd 

    :36.0nC 

  • Tj max

    :175.0°C

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