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IRFS38N20D数据手册Infineon中文资料规格书
IRFS38N20D规格书详情
特性 Features
优势:
• 符合 RoHS
• 具有业内先进的品质
• 具备完全特性化的雪崩电压和电流
• 低栅漏电荷,可降低开关损耗
• 具备完全特性化的的电容,包括有效的Coss以简化设计
技术参数
- 制造商编号
:IRFS38N20D
- 生产厂家
:Infineon
- OPN
:IRFS38N20DTRLP
- Qualification
:Non-Automotive
- Package name
:D2PAK
- VDS max
:200 V
- RDS (on) @10V max
:54 mΩ
- ID @25°C max
:43 A
- QG typ @10V
:60 nC
- Polarity
:N
- VGS(th) min
:3 V
- VGS(th) max
:5 V
- VGS(th)
:4 V
- Technology
:IR MOSFET™
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
38 |
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IR |
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IR |
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Infineon |
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D2PAK |
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IR |
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IR |
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NA |
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NA |
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