选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
501361 |
24+ |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
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深圳市坤融电子科技有限公司6年
留言
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IRD2-pak |
20000 |
24+ |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
501366 |
24+ |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
6499 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO-263 |
190 |
17+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市坤融电子科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
210494 |
24+ |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市水星电子有限公司3年
留言
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InfineonD2PAK |
39514 |
23+ |
全新原装正品,专注终端客户BOM配单。 |
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深圳市创新迹电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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IRSOT-263 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市龙瀚电子有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
6241 |
16+ |
全新原装/深圳现货库2 |
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天津市博通航睿技术有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
7000 |
23+ |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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IR/VISHAYD2-PAK |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市胜彬电子有限公司12年
留言
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IRD2-PAK |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRTO263 |
36500 |
20+ |
原装现货/放心购买 |
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深圳和润天下电子科技有限公司8年
留言
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IRTO-263 |
87767 |
22+ |
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深圳市晨豪科技有限公司10年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
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深圳市永贝尔科技有限公司8年
留言
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IRFNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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INFINE0ND2PAK (TO-263) |
32568 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
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IRFS3207ZTRRPBF价格
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IRFS3207资讯
IRFS3207ZTRRPBF
IRFS3207ZTRRPBF
IRFS3207中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFS3207制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 75V, 180A, 4.5 mOhm, 180 nC Qg, D2-Pak
IRFS3207HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 75V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 75V 180A 3PIN D2PAK - Rail/Tube
IRFS3207PBF功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 180nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFS3207TRL制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 75V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRFS3207TRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 75V 180A 4.5mOhm 180nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFS3207ZPBF功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFS3207ZPBF/010493-1/GE制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, TO GE AVIATION DWG 010493-1 - Rail/Tube
IRFS3207ZTRRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube