| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-252 |
500993 |
24+ |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRDIPSOP |
12300 |
15+ |
原装进口现货,假一罚十 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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VISHAYTO-252 |
24000 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
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深圳市坤融电子科技有限公司6年
留言
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VISHAY/威世TO-252-3 |
920 |
24+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世TO-252-3 |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY(威世)TO-252 |
9203 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司6年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
2000 |
24+ |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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VISHAY SEMICONDUCTORSMD |
918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市硅宇电子有限公司13年
留言
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60638 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市吉中创电子科技有限公司5年
留言
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VISHAYTO-252 |
5000 |
23+ |
公司现货原装 |
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深圳市金芯阳科技有限公司9年
留言
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VISHAY原厂原装 |
22000 |
15+ |
进口原装现货假一赔十 |
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深圳宇航军工半导体有限公司11年
留言
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NA |
75047 |
19+ |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂； |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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Vishay SiliconixTO-252AA |
30000 |
24+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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ir原厂封装 |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
4500 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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深圳诚思涵科技有限公司10年
留言
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VISHAYTO-252 |
85600 |
18+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世TO252 |
5000 |
21+ |
全新原装现货 价格优势 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世通TO-252-2 |
55000 |
2019 |
原装正品现货假一赔十 |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
25800 |
22+ |
原装正品支持实单 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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Vishay二极管 |
5864 |
23+ |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
IRFR9014T采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFR9014T图片
IRFR9014TRPBF价格
IRFR9014TRPBF价格：￥1.5480品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRFR9014TRPBF多少钱，想知道IRFR9014TRPBF价格是多少？参考价：￥1.5480。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFR9014TRPBF批发价格及采购报价，IRFR9014TRPBF销售排行榜及行情走势，IRFR9014TRPBF报价。
IRFR9014TRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR9014TR功能描述:MOSFET P-Chan 60V 5.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9014TRL功能描述:MOSFET P-Chan 60V 5.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9014TRLPBF功能描述:MOSFET P-Chan 60V 5.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9014TRPBF功能描述:MOSFET P-Chan 60V 5.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9014TRR功能描述:MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
