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IRFR3710ZTRLPbF

HEXFET짰 Power MOSFET

Description This HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features co

文件:688.61 Kbytes 页数:13 Pages

INFINEON

英飞凌

IRFR3710ZTRL

HEXFET Power MOSFET

文件:4.70307 Mbytes 页数:12 Pages

KERSEMI

IRFR3710ZTRLPBF

HEXFET짰 Power MOSFET

文件:365.44 Kbytes 页数:12 Pages

IRF

IRFR3710ZTRPBF

Advanced Process Technology

文件:365.44 Kbytes 页数:12 Pages

IRF

IRFR3710ZTRPBF

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件:1.02463 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

详细参数

  • 型号:

    IRFR3710ZTR

  • 功能描述:

    MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 69nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
19+
TO-252
18500
询价
INFINEON
22+
sot
6600
正品渠道现货,终端可提供BOM表配单。
询价
Infineon(英飞凌)
24+
TO252
3524
原厂直供,支持账期,免费供样,技术支持
询价
IR
23+
SOT-252
65400
询价
INFINEON TECHNOLOGIES AG
25+
SMD
918000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
INFINEON/英飞凌
2021+
TO-263
9000
原装现货,随时欢迎询价
询价
INFINEON
2024+
N/A
70000
柒号只做原装 现货价秒杀全网
询价
Infineon(英飞凌)
23+
25650
新到现货,只做原装进口
询价
IR
24+
TO-252
15015
只做原装假一赔十
询价
Infineon(英飞凌)
25+
TO-252-2(DPAK)
21000
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。
询价
更多IRFR3710ZTR供应商 更新时间2026-1-31 16:04:00