| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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13年
留言
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IRTO-252 |
15800 |
26+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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17年
留言
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IRSOT252 |
31760 |
24+ |
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6年
留言
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IR252 |
20000 |
23+ |
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10年
留言
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IRSOP8. |
86720 |
26+ |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
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5年
留言
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Infineon TechnologiesTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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14年
留言
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IRTO-252 |
35890 |
26+ |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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13年
留言
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N/ASOT-252AA |
26970 |
24+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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5年
留言
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IRTO-252 |
27500 |
25+ |
原装正品,价格最低! |
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5年
留言
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IR/VISHAYTO-252-2 |
10000 |
25+ |
原装现货假一罚十 |
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13年
留言
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IRTO-252 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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5年
留言
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IR/VISHAYTO-252 |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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16年
留言
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IRTO-252-2 |
5425 |
2026+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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5年
留言
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IRTO-252 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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7年
留言
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IRTO-252-2 |
1445 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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10年
留言
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IRSOT252 |
5689 |
最新 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
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13年
留言
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IRTO-252 |
59630 |
26+ |
主营原装MOS 二三级管 肖特基 功率场效应管 |
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6年
留言
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IR252 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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14年
留言
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IRD-PAK |
16800 |
26+ |
原装现货 |
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13年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
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3年
留言
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IRTO-252 |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保障 |
IRFR3706采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFR3706图片
IRFR3706TRLPBF价格
IRFR3706TRLPBF价格：￥3.3836品牌：IR
生产厂家品牌为IR的IRFR3706TRLPBF多少钱，想知道IRFR3706TRLPBF价格是多少？参考价：￥3.3836。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFR3706TRLPBF批发价格及采购报价，IRFR3706TRLPBF销售排行榜及行情走势，IRFR3706TRLPBF报价。
IRFR3706中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR3706功能描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3706C制造商:KERSEMI 制造商全称:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:SMPS MOSFET
IRFR3706CPBF功能描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3706CTRLPBF功能描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3706CTRR制造商:KERSEMI 制造商全称:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:High Frequency Isolated DC-DC Converters
IRFR3706CTRRPBF功能描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3706PBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR3706TR功能描述:MOSFET N-CH 20V 75A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
