| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-252 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-252 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
500 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
5000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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VISHAYTO-252 |
16000 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
6000 |
24+ |
只做原装假一赔十 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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VISHAYSOT-252 |
65400 |
23+ |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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VISHAYTO-252-3 (DPAK) |
10000 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世TO-252-3 |
8350 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
1324 |
19+ |
进口原装假一赔十支持含税 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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VISHAYTO-252-3 (DPAK) |
26000 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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VishayN/A |
8000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRSOT252 |
8320 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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59986 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
22000 |
23+ |
原装现货假一罚十 |
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上海意淼电子科技有限公司8年
留言
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IRNA |
12000 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
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IRFR320TRPBF价格
IRFR320TRPBF价格：￥1.9855品牌：VISHAY
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更多IRFR320TR功能描述:MOSFET N-Chan 400V 3.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR320TRL功能描述:MOSFET N-Chan 400V 3.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR320TRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 400V 3.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR320TRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 400V 3.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR320TRR功能描述:MOSFET N-Chan 400V 3.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR320TRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 400V 3.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
