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LM3103MHXSLASHNOPB	文件：1.3239 Mbytes Page：20 Pages	SIMPLESWITCHERSynchronous1MHz0.75AStep-DownVoltageRegulator	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LS3103	文件：74.31 Kbytes Page：8 Pages	SimpleLCDmicro-controller	BOWIN BOWIN ELECTRONIC CO.	BOWIN
LTC3103	文件：739.76 Kbytes Page：20 Pages	18VDualInputMicropowerPowerPathPrioritizer	LINEAR Linear Integrated Systems	LINEAR
LTC3103	文件：754.9 Kbytes Page：24 Pages	18VDualInputMicropowerPowerPathPrioritizerwithBackupSupplyMonitoring	LINEAR Linear Integrated Systems	LINEAR
LTC3103	文件：269.79 Kbytes Page：26 Pages	HighEfficiency,65V500mASynchronous	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LTC3103	文件：317.61 Kbytes Page：20 Pages	1.8AQuiescentCurrent,15V,300mASynchronousStep-DownDC/DCConverter	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LTC3103	文件：754.9 Kbytes Page：24 Pages	18VDualInputMicropowerPowerPathPrioritizerwithBackupSupplyMonitoring	LINEAR Linear Integrated Systems	LINEAR
LTC3103	文件：739.76 Kbytes Page：20 Pages	18VDualInputMicropowerPowerPathPrioritizer	LINEAR Linear Integrated Systems	LINEAR
LTC3103EDD	文件：283.29 Kbytes Page：6 Pages	1.8關AQuiescentCurrent,15V,300mASynchronousStep-DownDC/DCConverter	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LU3103	文件：959.98 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
IRFR3103
功能描述：
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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