| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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IRSOT252 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
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IR标准封装 |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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NULLTO-252 |
6000 |
23+ |
专业优势供应 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRTO-252 |
28500 |
1415+ |
全新原装正品,优势热卖 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
22500 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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DPAK |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRDPAK |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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INFINEON-英飞凌TO-252-3 |
83500 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳宇航军工半导体有限公司11年
留言
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NA |
74984 |
19+ |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂； |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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IRTO-252 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRDPAK |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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IRDPAK |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRDPAK |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
IRFR3103采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFR3103图片
IRFR3103中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR3103功能描述:MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3103TR功能描述:MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3103TRL功能描述:MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3103TRR功能描述:MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
