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IRFR220BTM	文件：1.43474 Mbytes Page：5 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=200V,ID=30A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
IRFR220N	文件：132.73 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=600mohm,Id=5.0A) Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters Benefits ●LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent TypicalSMPSTopologies ●T	IRF International Rectifier	IRF
IRFR220N	文件：335.72 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR220N	文件：3.73907 Mbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters Benefits ●LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR220N	文件：1.03454 Mbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET200V,6.0A,0.65 Application Load/PowerSWwitching InterfacingSwitching BatteryManagementforUltraSmallPortable Electronics LogicLevelShift	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
IRFR220NPBF	文件：220.96 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Applications •HighfrequencyDC-DCconverters •Lead-Free Benefits •LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRFR220NPBF	文件：3.83872 Mbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR220NPBF	文件：230.1 Kbytes Page：11 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
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IRFR220NTRRPBF	文件：230.1 Kbytes Page：11 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFR220PBF	文件：1.85874 Mbytes Page：11 Pages	HEXFEPPowerMOSFET HEXFEP®PowerMOSFETVdss=200VRDS(on)=0.80ΩID=4.8A	IRF International Rectifier	IRF
IRFR220PBF	文件：1.44698 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thestr	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR220PBF	文件：3.96242 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR220PBF	文件：816.14 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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IRFR220TR	文件：3.96242 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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