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IRFR210数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRFR210

功能描述

HEXFET Power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 1.5 Ω, ID = 2.6A

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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IRFR210规格书详情

描述 Description

DESCRIPTION
Third Generation MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The D-PAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 watts are possible in typical surface mount applications.
• Dynamic dV/dt Rating
• Repetitive Avalanche Rated
• Surface Mount (IRFR210/SiHFR210)
• Straight Lead (IRFU210/SiHFU210)
• Available in Tape and Reel
• Fast Switching
• Ease of Paralleling

技术参数

  • 型号:

    IRFR210

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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