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IRFR18N15D规格书详情
Applications
High frequency DC-DC converters
Benefits
1. Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses
2. Fully Characterized Capacitance Including Effective COSSto Simplify Design, (See App. Note AN1001)
3. Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
产品属性
- 型号：
IRFR18N15D
- 功能描述：
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2025+ |
TO-252-2 |
5425 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
IR |
2016+ |
TO-252 |
3000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
DPAK |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
IR |
21+ |
TO-252 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-252 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
IR |
2015+ |
D-Pak |
12500 |
全新原装,现货库存长期供应 |
询价 | ||
IR |
1923+ |
DPAK |
5000 |
正品原装品质假一赔十 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
2447 |
DPAK |
115000 |
3000个/卷一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
