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IRFR18N15D中文资料IRF数据手册PDF规格书

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厂商型号

IRFR18N15D

功能描述

SMPS MOSFET

文件大小

126.36 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

IRF

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数据手册

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更新时间

2025-12-12 17:40:00

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IRFR18N15D规格书详情

Applications

High frequency DC-DC converters

Benefits

1. Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses

2. Fully Characterized Capacitance Including Effective COSSto Simplify Design, (See App. Note AN1001)

3. Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

产品属性

  • 型号:

    IRFR18N15D

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    HEXFET®

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
23+
SOT-252
65480
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TO-252
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