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IRFPE30PBF中文资料MOSFET N-CH800V HEXFET MOSFET数据手册Vishay规格书

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厂商型号

IRFPE30PBF

功能描述

MOSFET N-CH800V HEXFET MOSFET

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:01:00

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技术参数

  • 型号:

    IRFPE30PBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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