IRFNL210B中文资料IRFNL210B: Power MOSFET, N-Channel, B-FET, 200 V, 1 A, 1.5 Ω, TO-92L数据手册ONSEMI规格书
IRFNL210B规格书详情
描述 Description
这些N沟道增强型功率场效应晶体管是采用飞兆专有的、平面条形DMOS技术生产的。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。 这些器件非常适合于高效率的开关DC/DC转换器、开关电源、用于不间断电源的DC-AC转换器和电机控制。
特性 Features
•1.0 A、200 V，RDS(on) = 1.5 Ω（VGS = 10 V）
•低栅极电荷（典型值 7.2 nC）
•低 Crss（典型值 6.8 pF）
•快速开关
•100% 经过雪崩击穿测试
•提高了 dv/dt 性能
应用 Application
• AC-DC商用电源
• 消费电子
技术参数
- 制造商编号
：IRFNL210B
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-free
- Status
： Active
- Description
： Power MOSFET
- Channel Polarity
：
- Configuration
：
- V(BR)DSS Min (V)
：
- VGS Max (V)
：
- VGS(th) Max (V)
：
- ID Max (A)
：
- PD Max (W)
：
- GS = 2.5 V\ style=\cursor:help\>RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：
- GS = 4.5 V\ style=\cursor:help\>RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：
- GS = 10 V\ style=\cursor:help\>RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：
- GS = 4.5 V\ style=\cursor:help\>Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：
- GS = 10 V\ style=\cursor:help\>Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：
- Ciss Typ (pF)
：
- Package Type
：TO-92-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
TO-247 |
35890 |
询价 | |||
FAIRCHILD |
23+ |
TO-92L |
8000 |
只做原装现货 |
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FAIRCHILD |
23+ |
TO-92L |
7000 |
询价 | |||
ON |
2022+ |
TO-92-3 |
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只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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