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IRFNL210B数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

IRFNL210B

功能描述

IRFNL210B: Power MOSFET, N-Channel, B-FET, 200 V, 1 A, 1.5 Ω, TO-92L

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 23:01:00

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IRFNL210B规格书详情

描述 Description

这些N沟道增强型功率场效应晶体管是采用飞兆专有的、平面条形DMOS技术生产的。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻,提供卓越的开关性能,以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。 这些器件非常适合于高效率的开关DC/DC转换器、开关电源、用于不间断电源的DC-AC转换器和电机控制。

特性 Features

•1.0 A、200 V,RDS(on) = 1.5 Ω(VGS = 10 V)
•低栅极电荷(典型值 7.2 nC)
•低 Crss(典型值 6.8 pF)
•快速开关
•100% 经过雪崩击穿测试
•提高了 dv/dt 性能

应用 Application

• AC-DC商用电源
• 消费电子

技术参数

  • 制造商编号

    :IRFNL210B

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : Power MOSFET

  • Channel Polarity

    : 

  • Configuration

    : 

  • V(BR)DSS Min (V)

    : 

  • VGS Max (V)

    : 

  • VGS(th) Max (V)

    : 

  • ID Max (A)

    : 

  • PD Max (W)

    : 

  • GS = 2.5 V\ style=\cursor:help\>RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    : 

  • GS = 4.5 V\ style=\cursor:help\>RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    : 

  • GS = 10 V\ style=\cursor:help\>RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    : 

  • GS = 4.5 V\ style=\cursor:help\>Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    : 

  • GS = 10 V\ style=\cursor:help\>Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    : 

  • Ciss Typ (pF)

    : 

  • Package Type

    :TO-92-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
3605
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