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IRLIZ24G_V01	文件：905.94 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Isolatedpackage •Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm •Logic-levelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcomplianc	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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PowerMOSFET

FEATURES •Isolatedpackage •Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm •Logic-levelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcomplianc

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