| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：2.17854 Mbytes 页数：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：260.779 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
Advanced Process Technology 文件：5.76099 Mbytes 页数：8 Pages | KERSEMI | KERSEMI | ||
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：2.92135 Mbytes 页数：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
Advanced Process Technology 文件：219.31 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | ||
Advanced Process Technology 文件：219.31 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | ||
Advanced Process Technology 文件：219.31 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | ||
55V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220 FullPAK(Iso)封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度; | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
Power MOSFET | Vishay 威世 | Vishay | ||
HEXFET POWER MOSFET | Infineon 英飞凌 | Infineon |
详细参数
- 型号：
IRFIZ24
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 14 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
17+ |
TO-220F |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
IR |
06+ |
TO-220 |
4000 |
全新原装 绝对有货 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220F |
85000 |
询价 | |||
IOR |
16+ |
TO-220 |
10000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
VIS |
23+ |
NA |
13256 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
IR |
20+ |
TO-220F |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220F |
6430 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
VISHAY |
25+ |
TO220-3 |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
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