IRFHM8329中文资料30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package数据手册Infineon规格书
IRFHM8329规格书详情
特性 Features
优势:
• RoHS Compliant
• Low Thermal Resistance to PCB (less than 3.8°C/W)
• Low Profile (less than 1.05 mm)
• Industry-Standard Pinout
• Compatible with Existing Surface Mount Techniques
• Qualified Industrial
• Qualified MSL1
应用 Application
• Battery Protection
• Isolated Primary Side MOSFETs
• Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs
• Load Switch High Side
• Load Switch Low Side
• Point of Load ControlFET
技术参数
- 制造商编号
：IRFHM8329
- 生产厂家
：Infineon
- Package
：PQFN 3.3 x 3.3 B
- VDS max
：30.0V
- RDS (on)(@10V) max
：6.1mΩ
- RDS (on) max
：6.1mΩ
- RDS (on)(@4.5V) max
：8.8mΩ
- Polarity
：N
- ID (@ TA=70°C) max
：13.0A
- ID (@ TA=25°C) max
：16.0A
- ID (@ TC=25°C) max
：57.0A
- Ptot(@ TA=25°C) max
：2.6W
- Ptot max
：33.0W
- QG
：13.0nC
- Mounting
：SMD
- Tj max
：150.0°C
- VGS max
：20.0V
- RthJC max
：3.8K/W
- Moisture Sensitivity Level
：1
- Qgd
：4.6nC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
DFN3X3 |
500485 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PQFN 3.3x3.3 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
2023+ |
PQFN 3.3x3.3 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 | ||
22+ |
5000 |
询价 | |||||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PQFN 3.3x3.3 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
IR |
新年份 |
DFN3*3 |
19662 |
原装正品现货,实单带TP来谈! |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
DFN33 |
35000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IR |
23+ |
DFN3X3 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
DFN33 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 |
