| 订购数量 | 价格 |
|---|---|
| 1+ |
- 厂家型号：
IRFH5207
- 产品分类：
芯片
- 生产厂商：
IR
- 库存数量：
8000
- 产品封装：
QFN
- 生产批号：
23+
- 库存类型：
- 更新时间：
2025-11-8 15:01:00
IRFH5207_IR_HEXFET Power MOSFET安富世纪二部
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 制造商编号
：IRFH5207
- 生产厂家
：英飞凌
- VDS max
：75.0V
- RDS (on)(@10V) max
：9.6mΩ
- RDS (on) max
：9.6mΩ
- Polarity
：N
- ID (@ TA=70°C) max
：11.0A
- ID (@ TA=25°C) max
：13.0A
- ID (@ TC=100°C) max
：45.0A
- ID max
：45.0A
- ID (@ TC=25°C) max
：71.0A
- Ptot(@ TA=25°C) max
：3.6W
- Ptot max
：105.0W
- QG
：39.0nC
- Mounting
：SMD
- Moisture Sensitivity Level
：1
- Qgd
：13.0nC
- Tj max
：150.0°C
- VGS max
：20.0V
- RthJC max
：1.2K/W
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