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IRFH5207	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 PQFN 封装的 75V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• RoHS Compliant;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFH5207PBF	文件：240.35 Kbytes Page：9 Pages	Secondary Side Synchronous Rectification 文件：240.35 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFH5207PBF	文件：305.84 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：305.84 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFH5207PBF_15	文件：240.35 Kbytes Page：9 Pages	Secondary Side Synchronous Rectification 文件：240.35 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFH5207TR2PBF	文件：305.84 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：305.84 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFH5207TRPBF	文件：305.84 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：305.84 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF

技术参数

VDS max：
75.0V
RDS (on)(@10V) max：
9.6mΩ
RDS (on) max：
9.6mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TA=70°C) max：
11.0A
ID (@ TA=25°C) max：
13.0A
ID (@ TC=100°C) max：
45.0A
ID max：
45.0A
ID (@ TC=25°C) max：
71.0A
Ptot(@ TA=25°C) max：
3.6W
Ptot max：
105.0W
QG ：
39.0nC
Mounting ：
SMD
Moisture Sensitivity Level ：
1
Qgd ：
13.0nC
Tj max：
150.0°C
VGS max：
20.0V
RthJC max：
1.2K/W

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRFH5207供应商更新时间2025-11-4 16:44:00

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