IRFF130中文资料N-channel enhancement-mode power field-effect transistor. Drain-sourge voltage 100V. Continuous drain current 8.0A.数据手册GESS规格书

厂商型号	IRFF130
功能描述	N-channel enhancement-mode power field-effect transistor. Drain-sourge voltage 100V. Continuous drain current 8.0A.
制造商	GESS GE Solid State
数据手册	下载地址下载地址二
更新时间	2025-9-27 9:21:00
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型号：
IRFF130
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 3-Pin TO-39
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 100V 8A 3PIN TO-39 - Bulk
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
HEXFET, HI-REL - Bulk
功能描述：
N CHANNEL MOSFET 100V 8A TO-
功能描述：
MOSFET N TO-39
功能描述：
MOSFET, N, TO-39
功能描述：
Single N-Channel 100 V 25 W 28.5 nC Hexfet Transistor Through Hole - TO-39
功能描述：
N CHANNEL MOSFET, 100V, 8A TO-205AF; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
8A; Drain Source Voltage
Vds：
100V; On Resistance
Rds(on)：
180mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V ;RoHS
Compliant：
No
制造商：
IR