IRFF130数据手册Digitron中文资料规格书
IRFF130规格书详情
描述 Description
This N-Channel mosfet diode is packaged in TO-205 low profile package, which has a power dissipation of 0.8mW.
Available as High Reliability device per MIL-PRF-19500 indicate –HR suffix after the part number. Contact for -HR flow. Add \"PBF\" suffix for Pb-free lead finish.
应用 Application
METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTORs (MOSFETs) are used in control and sensing applications.
技术参数
- 型号：
IRFF130
- 制造商：
International Rectifier
- 功能描述：
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 3-Pin TO-39
- 功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 100V 8A 3PIN TO-39 - Bulk
- 制造商：
Rochester Electronics LLC
- 功能描述：
HEXFET, HI-REL - Bulk
- 功能描述：
N CHANNEL MOSFET 100V 8A TO-
- 功能描述：
MOSFET N TO-39
- 功能描述：
MOSFET, N, TO-39
- 功能描述：
Single N-Channel 100 V 25 W 28.5 nC Hexfet Transistor Through Hole - TO-39
- 功能描述：
N CHANNEL MOSFET, 100V, 8A TO-205AF; Transistor
- Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
- Id：
8A; Drain Source Voltage
- Vds：
100V; On Resistance
- Rds(on)：
180mohm; Rds(on) Test Voltage
- Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
- Typ：
4V ;RoHS
- Compliant：
No
- 制造商：
IR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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