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IRFP150NPBF	文件：1.03047 Mbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRFP150NPBF	文件：1.03047 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP150PBF	文件：1.44982 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP150PBF	文件：1.50788 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP150R	文件：67.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP150V	文件：531.52 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=100V RDS(on)=24mΩ ID=47A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRFP150VPBF	文件：169.9 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=100V RDS(on)=24mΩ ID=47A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRFS150	文件：265.13 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS150	文件：343.58 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=27.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=55mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS150A	文件：259.79 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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详细参数

型号：
IRFC150
制造商：
IXYS
制造商全称：
IXYS Corporation
功能描述：
HIGH VOLTAGE POWER MOSFET DIE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	IRFC150	IXYS	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRFC150R	IR	22+	-	6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IRFC150R	IR	23+	-	8000	只做原装现货	询价
天津市博通航睿技术有限公司	IRFC150R	IR	23+	-	7000		询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	IRFC22N50AC	IR	23+	SMD	12500	全新原装现货热卖,价格优势	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	IRFC234	VISHAY/威世	23+	STAND	12116	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价

更多IRFC150供应商更新时间2025-7-26 9:03:00

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