IRFBG30_IR_MOSFET 1000V Single N-Channel HEXFET近平电子
- 厂家型号:
IRFBG30
- 产品分类:
IC芯片
- 生产厂商:
IR
- 库存数量:
19
- 产品封装:
面议
- 生产批号:
6000
- 库存类型:
常用库存
- 更新时间:
2025-11-19 11:24:00
- 芯片型号:
IRFBG30
- 规格书:
下载
- 企业简称:
VISHAY【威世】详情
- 厂商全称:
Vishay Siliconix
- 中文名称:
威世科技公司
- 内容页数:
8 页
- 文件大小:
1521.02 kb
- 资料说明:
Power MOSFET
产品属性
- 类型
描述
- 制造商编号
:IRFBG30
- 生产厂家
:威世
- 漏源电压(Vdss)
:1000V
- 栅源极阈值电压(最大值)
:4V @ 250uA
- 漏源导通电阻(最大值)
:5 Ω @ 1.9A,10V
- 类型
:N 沟道
- 功率耗散(最大值)
:125W