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IRFR4510TRPBF	文件：2.25212 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRFS4510	文件：189.3 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS4510PbF	文件：265.82 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFS4510PBF	文件：265.82 Kbytes Page：10 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL4510	文件：330.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFSL4510PBF	文件：265.82 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFU4510	文件：247.49 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU4510PbF	文件：307.03 Kbytes Page：11 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
LA4510	文件：258.329 Kbytes Page：8 Pages	240MWAFPowerAmplifier Applications 1.Especiallysuitedforusein3Vmicrocassetterecorder,minicassetterecorder,headphonestereoapplications.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
LM4510	文件：2.42072 Mbytes Page：18 Pages	SynchronousStep-UpDC/DCConverterwithTrueShutdownIsolation	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC

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详细参数

型号：
IRFB4510
功能描述：
MOSFET 100V 10.7mOhm 62A HEXFET 140W 50nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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