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IRFB4310G中文资料HEXFETPower MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRFB4310G

功能描述

HEXFETPower MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-2 16:30:00

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技术参数

  • 型号:

    IRFB4310G

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
TO-220
2500
询价
IR
25+
PLCC44
18000
原厂直接发货进口原装
询价
IR
17+
TO-220
6200
100%原装正品现货
询价
IR
23+
TO-220
5000
原装正品,假一罚十
询价
IR
23+
TO-220AB
6000
原装正品,支持实单
询价
IR
23+
TO-220AB
7000
询价
Infineon Technologies
2022+
TO-220-3
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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IR
10+
TO-220
112
原装现货
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20+
TO-220
38900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
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IR
2022+
TO-220AB
12888
原厂代理 终端免费提供样品
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