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JANN3206	文件：66.14 Kbytes Page：2 Pages	PELLETDIODES	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
KNB3206A	文件：205.82 Kbytes Page：7 Pages	110A竊?0VN-CHANNELMOSFET	KIAKIA Semiconductor Technology 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司	KIA
KND3206A	文件：205.82 Kbytes Page：7 Pages	110A竊?0VN-CHANNELMOSFET	KIAKIA Semiconductor Technology 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司	KIA
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KNX3206A	文件：205.82 Kbytes Page：7 Pages	110A竊?0VN-CHANNELMOSFET	KIAKIA Semiconductor Technology 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司	KIA
KTC3206	文件：438.75 Kbytes Page：3 Pages	TRIPLEDIFFUSEDNPNTRANSISTOR(BLACKANDWHITETVVIDEOOUTPUT,HIGHVOLTAGESWITCHING) BLACKANDWHITETVVIDEOOUTPUTAPLICATION. HIGHVOLTAGESWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •HighBreakdownVoltage:VCEO=150V(Min.). •LowOutputCapacitance:Cob=5.0pF(Max.). •HighTransitionFrequency:fT=120MHz(Typ.).	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTC3206	文件：810.13 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTC3206	文件：4.99483 Mbytes Page：3 Pages	TO-92LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURE ●HighBreakdownVoltage:VCEO=150V(Min.) ●LowOutputCapacitance:Cob=5.0pF(Max.) ●HighTransitionFrequency:fT=120MHz(Typ.).	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
KTC3206	文件：1.10049 Mbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-92LMPlasticPackage. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-92LMPlasticPackage. Features Highbreakdownvoltage,lowoutputcapacitance,hightransitionfrequency. Applications B/WTVvideooutput,highvoltageswitchingapplication.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN

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详细参数

型号：
IRFB3206
功能描述：
MOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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