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IRFB31N20D中文资料采用 TO-220AB 封装的 200V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRFB31N20D

功能描述

采用 TO-220AB 封装的 200V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-2 22:59:00

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IRFB31N20D规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS
• 具有业内先进的品质
• 经过充分验证的雪崩电压和电流
• 低栅漏电荷,可降低开关损耗
• 经过充分验证的的电容,包括有效的Coss以简化设计

技术参数

  • 制造商编号

    :IRFB31N20D

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :TO-220

  • VDS max

    :200.0V

  • RDS (on)(@10V) max

    :82.0mΩ

  • RDS (on) max

    :82.0mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID (@ TC=100°C) max

    :22.0A

  • ID  max

    :22.0A

  • ID (@ TC=25°C) max

    :31.0A

  • Ptot max

    :200.0W

  • QG 

    :70.0nC 

  • Mounting 

    :THT

  • RthJC max

    :0.75K/W

  • Qgd 

    :33.0nC 

  • Tj max

    :175.0°C

  • VGS max

    :30.0V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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