| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-220 |
21116 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-220 |
16848 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-220 |
7828 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
500 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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1400 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IR原厂封装 |
15850 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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原厂封装 |
21034 |
23+ |
专注原装正品现货特价中量大可定 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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24000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市豪迈兴电子有限公司6年
留言
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VISHAYTO-22O |
32280 |
2339+ |
原装现货 假一罚十!十年信誉只做原装! |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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VISHAYTO-220-3 |
5950 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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VISHAYTO-220 |
8000 |
2122+ |
原装正品,假一赔十! |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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VISHAYTO-220 |
8560 |
23+ |
原包装原标签特价销售 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
6000 |
24+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRTO-220 |
65400 |
23+ |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
留言
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VISHAY/威世货真价实,假一罚十 |
25000 |
TO-220 |
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深圳市凌特半导体科技有限公司2年
留言
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Infineon英飞凌专营TO-220 |
9000 |
原装现货当天可交货,长期备货支持BOM配单账期 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世TO-220-3 |
3 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司4年
留言
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IRTO220 |
21000 |
22+ |
原厂原包装。假一罚十。可开13%增值税发票。 |
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IRFB18N50KPBF价格
IRFB18N50KPBF价格：￥11.1052品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRFB18N50KPBF多少钱，想知道IRFB18N50KPBF价格是多少？参考价：￥11.1052。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFB18N50KPBF批发价格及采购报价，IRFB18N50KPBF销售排行榜及行情走势，IRFB18N50KPBF报价。
IRFB11N50A资讯
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IRFB18N50KPBF进口原装现货特价销售
清腾科技主营：TI,IR,NXP,ATMEL,ON,AD,MAX等世界知名品牌ic，电子元器件.
IRFB11N50A中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFB11N50制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.52ohm, Id=11A)
IRFB11N50A功能描述:MOSFET N-Chan 500V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB11N50APBF功能描述:MOSFET N-Chan 500V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB13N50A功能描述:MOSFET N-Chan 500V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB13N50APBF功能描述:MOSFET N-Chan 500V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB16N50K功能描述:MOSFET N-Chan 500V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB16N50KPBF功能描述:MOSFET N-Chan 500V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB16N60L功能描述:MOSFET N-Chan 600V 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB16N60LPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFB17N20D功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
