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IRF9Z34NS	文件：162.29 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.10ohm,Id=-19A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z34NS	文件：172.98 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z34NS	文件：298.08 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF9Z34NS	文件：1.07424 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF9Z34NS	文件：931.22 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF9Z34NSL	文件：172.98 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z34NSPBF	文件：1.1075 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	IRF International Rectifier	IRF
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