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IRF9Z30	文件：372.29 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.14Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF9Z30	文件：140.09 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET FEATURES •P-channelversatility •Compactplasticpackage •Fastswitching •Lowdrivecurrent •Easeofparalleling •Excellenttemperaturestability •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformation	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9Z30	文件：280.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF9Z30	文件：141.63 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9Z30	文件：261.64 Kbytes Page：8 Pages	FastSwitching	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9Z30	文件：427.3 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL50VOLTPOWERMOSFETS -50Volts,0.14Ohm,HEXFETTo-220ABPlasticPackage TheHEXFET®technologyisthekeytointernationalRectifiersadvancedlineofpwoerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHEXFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance	IRF International Rectifier	IRF
IRF9Z30PBF	文件：141.63 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9Z30PBF	文件：262.42 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETPOWERMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
SIHF9Z30	文件：141.63 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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更多IRF9Z30-LF供应商更新时间2025-5-25 10:01:00

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