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IRF9Z24STRL规格书详情
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
FEATURES
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
• Advanced Process Technology
• Surface Mount (IRF9Z24S, SiHF9Z24S)
• Low-Profile Through-Hole (IRF9Z24L, SiHF9Z24L)
• 175 °C Operating Temperature
• Fast Switching
• P-Channel
• Fully Avalanche Rated
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
产品属性
- 型号：
IRF9Z24STRL
- 功能描述：
MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
-
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay Siliconix |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Vishay Siliconix |
23+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
Vishay Siliconix |
2022+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
IR |
2447 |
TO-263 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
7000 |
询价 | |||
VishayIR |
24+ |
TO-263 |
4800 |
询价 | |||
IR |
95+ |
TO-263 |
723 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO263 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
VBSEMI/台湾微碧 |
24+ |
D2PAK |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
VBSEMI/台湾微碧 |
23+ |
D2PAK |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
