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IRF9Z24NPBF	文件：2.35591 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：2.35591 Mbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF9Z24NPBF	文件：511.09 Kbytes Page：9 Pages	Lead-Free 文件：511.09 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
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IRF9Z24NS	文件：168.45 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：168.45 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF9Z24NS	文件：1.09621 Mbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology 文件：1.09621 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRF9Z24NS	文件：179.21 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：179.21 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF

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