| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市锦喆鸿电子有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
1600 |
21+ |
原装现货,实单请给TP |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
4000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
160000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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INFINEONT0-263 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市锦喆鸿电子有限公司5年
留言
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INFINEONTO-263 |
1600 |
21+ |
原装 真实库存 实单请给TP |
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深圳市豪迈兴电子有限公司12年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
5143 |
2305+ |
只做原装现货假一罚十!价格最低!只卖原装现货 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司3年
留言
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32280 |
2339+ |
原装现货 假一罚十！十年信誉只做原装！ |
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深圳市恒凯威科技开发有限公司8年
留言
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IRTO-263 |
6880 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRTO-220 |
65400 |
23+ |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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INFINEONTO-263 |
15000 |
21+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO-263 |
19700 |
21+;20+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
7500 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO263 |
7906200 |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
留言
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INFINEONTO-252-3 |
4000 |
22+ |
原装现正品可看现货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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15000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市金启宁科技有限公司10年
留言
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INFINEON/英飞凌TO263 |
50000 |
21+ |
只做原装 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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INFINEONTO-263-3 |
45000 |
22+ |
100%公司原装现货,欢迎加Q微信咨询 |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
留言
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IRTO-263 |
2605 |
23+ |
原厂原装正品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-252-3 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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IRF9540NSTRRPBF价格
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IRF9540NSTRRPBF资讯
IRF9540NSTRRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF9540NSTRL制造商:International Rectifier
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IRF9540NSTRR功能描述:MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF9540NSTRRPBF功能描述:MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 117mOhms 64.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
