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PT-9530-SB	文件：112.61 Kbytes Page：2 Pages	3.3V/2.5GbpsInGaAsPIN-TIAReceiverInGaAsPIN-TIAWITHRECEPTACLE	OPTOWAY Optoway Technology Inc	OPTOWAY
PT-9530-T	文件：112.61 Kbytes Page：2 Pages	3.3V/2.5GbpsInGaAsPIN-TIAReceiverInGaAsPIN-TIAWITHRECEPTACLE	OPTOWAY Optoway Technology Inc	OPTOWAY
SFI9530	文件：233.28 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●175oCOperatingTemperature ●LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=-100V ●LowRDS(ON):0.225Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SFI9530	文件：274.43 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SFP9530	文件：280.41 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SFP9530	文件：967.01 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SFP9530	文件：278.86 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=-100V RDS(on)=0.3Ω ID=-10.5A FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●175oCOperetingTemperature ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:-10µA(Max.)@	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SFS9530	文件：233.63 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●175oCOperatingTemperature ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=-100V ●LowRDS(ON):0.225Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SFS9530	文件：271.5 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SFW9530	文件：362.49 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
IRF9530SPBF
功能描述：
MOSFET P-Chan 100V 12 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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