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Infineon(英飞凌)D2PAK

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Infineon TechnologiesD2PAK

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Infineon Technologies原装

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Infineon Technologies原装

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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T

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IRF9530NSTRR

Infineon Technologies原装

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IRF9530NSTRR

INFINEONTO-263

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IRF9530NSTRRPBF/IRF9530NS

IRNA/

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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票

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IRF9530NSTRRPBF

IRSOT263

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IRF9530NSTRRPBF

Infineon/英飞凌D2PAK

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Infineon(英飞凌)D2PAK

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Infineon/英飞凌D2PAK

6820

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IRF9530NSTRRPBF

Infineon TechnologiesD2PAK

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IRF9530NSTRRPBF价格：￥2.8459品牌：IR

生产厂家品牌为IR的IRF9530NSTRRPBF多少钱，想知道IRF9530NSTRRPBF价格是多少？参考价：￥2.8459。这里提供2025年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF9530NSTRRPBF批发价格及采购报价，IRF9530NSTRRPBF销售排行榜及行情走势，IRF9530NSTRRPBF报价。

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IRF9530NSTRR功能描述:MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRF9530NSTRRPBF功能描述:MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 200mOhms 38.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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